一款面向企业SSD和超大规模数据中心存储的新型1TB三级单元（TLC）存储设备。
铠侠-闪迪联盟宣布启动其最新第十代BiCS FLASH 3D NAND技术样品出货，推出了一款面向企业SSD和超大规模数据中心存储的新型1TB三级单元（TLC）存储设备。
BiCS10 采用 332 层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上 Fab2 晶圆厂生产，延续了 BiCS8 时代导入的 CMOS 直接键合到阵列 (CBA) 和节距选通 (OPS) 两大新技术。
BiCS10 1Tb TLC 支持 Toggle DDR6.0、SCA 协议、 PI-LTT 技术，闪存 I/O 接口速度达到 4800MT/s。其实现了业界领先的 29+ Gb/mm² 存储密度，相较 BiCS8 提升 59%；输出功耗降低 34%、读取能效提升 30%；输入功耗降低 10%、写入能效提升 18%。
这款新型闪存旨在满足人工智能基础设施、云计算和企业应用日益增长的需求，这些应用需要更高的存储容量、更高的带宽和提升的能效。 这些新存储器件将在日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2制造，采用公司最新的生产技术。新一代产品不仅仅专注于提升容量，还致力于提升接口速度和能效，这两项对AI服务器和大规模存储部署日益重要。
其中最大的技术改进之一是向332层3D NAND架构的过渡。结合横向单元密度的改进，新设计相比可曾第八代BiCS FLASH产品，比位密度提升了约59%。更高的密度使得更大容量的SSD成为可能，同时更高效地利用硅面积。
性能也有所提升。基奥沙报道，NAND接口现已达到4.8 Gb/s，较第八代技术提升了33%。更快的NAND通信使未来的企业SSD能够为要求高的AI、云和企业工作负载提供更高吞吐量和更低延迟。
公司继续采用CMOS直接粘结阵列（CBA）技术，以及在早期BiCS FLASH世代引入的俯仰选择门漏（OPS）技术，这些技术提升了信号完整性、存储密度和生产效率，同时实现NAND内存的持续垂直扩展。
能源效率也是另一个受到关注的领域。Kioxia指出，写操作的功耗比前一代低18%，而读取操作的功耗比前一代少30%。这些改进有助于降低企业存储系统和大型数据中心的能耗，这些SSD在高负载下持续运行。
国外也重申了其双代产品战略。公司第九代BiCS FLASH产品仍专注于性能与制造效率及更低投资成本的平衡，而新一代第十代技术则面向要求最大容量、更高带宽和提升能效的应用。随着AI基础设施在全球范围内不断扩展，最新的BiCS FLASH世代预计将成为未来企业SSD平台的关键组成部分。
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