SK海力士CEO:2027年或出现最严重存储荒
新建存储晶圆工厂需要投入巨额资金,从规划、建厂到形成有效产能普遍需要4至5年时间,当下不少厂商的扩产布局启动较晚,无法及时跟上AI催生的增量需求。...
新建存储晶圆工厂需要投入巨额资金,从规划、建厂到形成有效产能普遍需要4至5年时间,当下不少厂商的扩产布局启动较晚,无法及时跟上AI催生的增量需求。...
SK海力士的营业利润预计将加速增长,第一季度达到40万亿韩元,第二季度达到60万亿韩元,第三季度达到71万亿韩元,第四季度达到80万亿韩元。...
SK海力士25财年第二季度收入和营业利润均创历史新高,收入22.232万亿韩元(约合1152亿人民币),净利润6.9962万亿韩元(323亿人民币)。...
Pure Storage 可以使用 SK 海力士的 QLC NAND 闪存提供未来的 DirectFlash 模块产品,该闪存将专为要求苛刻的超大规模环境而构建。...
这笔资金支持SK海力士在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元,用于建设人工智能(AI)产品的内存封装工厂和先进的封装制造和研发设施,填补美国半导体供应链的关键空白。...
两家公司可以在勒索软件攻击后快速识别最后一个已知的良好数据副本,以确保干净的恢复,使组织快速全面正常运营。...
SK海力士是业内第一家详细公布了300多层NAND开发进展的公司,公司计划提高321层产品的完成水平,并从2025年上半年开始量产。...
SK海力士收到英伟达要求提供HBM3E样品的请求,并正在准备发货。HBM3E 是目前可用的下一代最高规格 DRAM HBM3,被认为是第 5 代半导体产品。...
该认证对汽车NAND解决方案产品至关重要,预计将导致该公司的NAND解决方案产品(如通用闪存和固态驱动器)的供应增加和盈利能力增强。...
2022年12月31日的第四季度指引显示,当季营业利润将从2021年同期的13.87万亿韩元降至4.3万亿韩元,同比下降近69%,销售额同比下降约9%至70万亿韩元。...
继SK海力士在去年11月推出的移动DRAM LPDDR5X,将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。 本次产品的速度比现有产品快13%,运行速度高达9.6Gbps(Gb/s)。...
SK海力士首发的DDR5内存条为面向服务器、数据中心的RDIMM形态,基于1Ynm工艺制造的16Gb颗粒,单条容量64GB,而借助TSV硅穿孔技术,最高可以达到256GB。...
2020年7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM HBM2E 。据悉,这是SK海力士继去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的又一成果。SK海力士新闻稿指出,HBM2E是目前业界速度最快的DRAM解决方案,能以每个pin 3.6Gbps的......
6月17日,韩国SK Materials表示,该公司已于近期开始了高纯度(99.999%)氟化氢(蚀刻气体)量产。由于纯度已达到一定程度,三星电子及SK海力士也都导入使用。根据《日本经济新闻》17日报导,SK Materials的99.99......